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电子元器件详细资料 » IC[27672] » SI6969BDQ-T1-GE3
型号:SI6969BDQ-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C30 毫欧 @ 4.6A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222800mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大830mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
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SI6969BDQ-T1-GE3相关型号

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